La tecnologia 3DS si riferisce a un impilamento 3 Dimensionale della memoria DRAM sulla scheda di memoria per produrre moduli di memoria ad alta capacità.
Questa tecnologia di produzione tridimensionale è stata definita da JEDEC come uno standard per i moduli di memoria sotto il termine “3DS”.
In questo processo, 2, 4 o 8 DIE DRAM (DIE = chip di substrato in silicio individuale) vengono impilati in un pacchetto DRAM e collegati tramite canali verticali da DIE a DIE.
Il collegamento avviene internamente tramite linee TSV (Through-Silicon Vias) verticali in questa moderna forma di “impilamento”.
Gli impilamenti di DIE DRAM consistono in un DIE master e uno o più DIE slave.
Il controller di memoria del sistema interagisce solo con il DIE master, mentre i DIE slave sono controllati autonomamente dal DIE master.
Questa struttura conferisce a una memoria 3DS ranghi fisici e logici: una memoria 3DS da 128 GB etichettata come “4H TSV 2S4Rx4” ha 8 ranghi (2 ranghi fisici x 4 ranghi logici) sul modulo di memoria. Questa memoria è composta da 36 impilamenti di DIE DRAM, ciascuno con 4 DIE impilati sopra (=4H TSV).
Dei 4 DIE per impilamento di DIE DRAM, solo il DIE master viene indirizzato direttamente dal controller di memoria. Il modulo di memoria 3DS da 128 GB con 2S4Rx4 ha 36 impilamenti di DIE DRAM, risultando in 2 ranghi fisici (2 ranghi = 36 DIE master con struttura x4 = 2 ranghi a 72 bit) ma 8 ranghi logici (36 impilamenti di DIE DRAM con 4 DRAM ciascuno con struttura x4 = 8 ranghi a 72 bit).
Grazie al metodo unico di indirizzamento della memoria, un 3DS-RDIMM o un 3DS-LRDIMM non può essere utilizzato insieme a una memoria RDIMM e LRDIMM convenzionale senza una struttura 3DS sullo stesso canale di memoria.
La tecnologia 3DS è spesso solo una tecnologia di transizione fino a quando le strutture dei DRAM possono essere ulteriormente ridotte. Questo consentirà il prossimo raddoppio della capacità di memoria per DRAM (e quindi per i moduli di memoria). Con la nuova generazione di DRAM, la costruzione 3DS dei DRAM più vecchi sarà rapidamente sostituita.
Esempio: 64 GB DDR4 3DS-RDIMM come 2S2Rx4 (2 ranghi fisici x 2 ranghi logici = 4 ranghi logici). Vengono conteggiati solo i ranghi fisici. Per il sistema, la memoria è quindi una memoria 2Rx4. Internamente, 2 DRAM di 2 Gbit x 4 sono interconnessi tramite linee TSV.