16GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX) RAM UDIMM
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Codice prodotto:
SP432344
Marca:
phs memory
Memoria per desktop Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX)
Ampliate la memoria del vostro Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX) di 16GB. Le memorie offerte sono RAM DDR4. Ulteriori specifiche tecniche della memoria si trovano nell'elenco a destra. Niente esperimenti! Acquista la memoria corretta presso degli specialisti per eseguire l'aggiornamento del tuo desktop in modo sicuro e con successo.
Memorie - info
| Dimensione della memoria | 16GB |
|---|---|
| Tecnologia della memoria | DDR4 |
| Velocità della memoria | 3200MHz |
| Standard JEDEC | PC4-25600U |
| Tipo | UDIMM (Non-ECC unbuffered) |
| Numero Pin | 288 Pin DIMM |
| Voltaggio | 1,2 volt |
| Caratteristiche speciali | - |
Dispositivo - Specifiche
| Produttore del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo di apparecchio | Desktop |
| Famiglia del dispositivo | Lenovo ThinkCentre neo |
| Serie del dispositivo | ThinkCentre neo 50 serie |
| Nome del dispositivo | ThinkCentre neo 50s (11SX) |
| Memoria ex works | 16GB |
| Memoria máxima | 64GB |
| Slot di memoria | 2 |
| Nota | adatto ai seguenti modelli: 11SX0000PB, 11SX0001PB, 11SX0002PB, 11SX000NPB, 11SX000PBL, 11SX000PCK, 11SX000PCR, 11SX000PEE, 11SX000PEU, 11SX000PFN, 11SX000PFR, 11SX000PGE, 11SX000PHX, 11SX000PIL, 11SX000PIX, 11SX000PMB, 11SX000PMD, 11SX000PMF, 11SX000PMG, 11SX000PMH, 11SX000PML, 11SX000PMS, 11SX000PMX, 11SX000PMZ, 11SX000PNX, 11SX000PPB, 11SX000PPG, 11SX000PRI, 11SX000PSP, 11SX000PTX, 11SX000PUK, 11SX000PZY, 11SX000QBL, 11SX000QCK, 11SX000QCR, 11SX000QEE, 11SX000QEU, 11SX000QFN, 11SX000QFR, 11SX000QGE, 11SX000QHX, 11SX000QIL, 11SX000QIX, 11SX000QMB, 11SX000QMD, 11SX000QMF, 11SX000QMG, 11SX000QMH, 11SX000QML, 11SX000QMS, 11SX000VIL, 11SX000VIX, 11SX000VMB, 11SX000VMD, 11SX000VMF, 11SX000VMG, 11SX000VMH, 11SX000VML, 11SX000VMS, 11SX000VMX, 11SX000VMZ, 11SX000VNX, 11SX000VPB, 11SX000VPG, 11SX000VRI, 11SX000VSP, 11SX000VTX, 11SX000VUK, 11SX000VZY, 11SX000WBL, 11SX000WCK, 11SX000WCR, 11SX000WEE, 11SX000WEU, 11SX000WFN, 11SX000WFR, 11SX000WGE, 11SX000WHX, 11SX000WIL, 11SX000WIX, 11SX000WMB, 11SX000WMD, 11SX000WMF, 11SX000WMG, 11SX000WMH, 11SX000WML, 11SX000WMS, 11SX000WMX, 11SX000WMZ, 11SX000WNX, 11SX000WPB, 11SX000WPG, 11SX000WRI, 11SX000WSP, 11SX000WTX, 11SX000WUK, 11SX000WZY, 11SX000XBL, 11SX000XCK, 11SX000XCR, etc. |
Informazioni per l'ordine
| Numero dell'articolo | SP432344 |
|---|---|
| Marchio | |
| EAN | 4064578952549 |
| Stato | Nuovo |
| Garanzia di memoria | 5 anni di garanzia |
| Compatibilità | 100% compatibile con Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX) |
| Garanzia di rimborso | Sì, al 100% |
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Le foto dei prodotti non rispecchiano necessariamente l’aspetto reale del prodotto. Nel caso dei moduli di memoria, ciò può essere dovuto a modifiche del layout o ad altre circostanze al di fuori del nostro controllo.
Scheda tecnica "16GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX) RAM UDIMM"
FAQ - Domande frequenti su Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX)
Con quale capacità di archiviazione è stato fornito il Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX)?
Il ThinkCentre neo 50s (11SX) viene fornito con 16GB di RAM.
Quanta memoria posso installare nel Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX)?
ThinkCentre neo 50s (11SX) può essere aggiornato fino a un massimo di 64GB di RAM.
La RAM fornita da phs memory® per il mio Lenovo ThinkCentre neo 50s (11SX) ha una frequenza superiore rispetto alla RAM esistente - È un problema?
La "Fallback Option" nell'SPD della memoria phs memory® garantisce che i moduli di memoria più recenti con una frequenza di clock più elevata possano essere utilizzati senza problemi anche con quelli più vecchi con una frequenza di clock inferiore. La frequenza di clock del modulo di memoria più lento determina il clock della memoria nel sistema. Il modulo di memoria più veloce viene automaticamente abbassato al clock del modulo più lento.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.
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