256GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkStation P620 (30E0) RAM RDIMM 3DS
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Memoria Lenovo ThinkStation P620 (30E0)
La memoria RAM estende la capacità di memoria del Lenovo ThinkStation P620 (30E0) di 256GB. Le memorie offerte sono RAM DDR4. Ulteriori specifiche tecniche della memoria si trovano nell'elenco a destra. Questa memoria è compatibile al 100% con l' Lenovo ThinkStation P620 (30E0).
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overRAMing - maximize your RAM
Questo sistema può essere aggiornato con una quantità di memoria maggiore di quella originariamente specificata dal produttore del dispositivo. La compatibilità è stata verificata dai nostri specialisti della memoria e approvata per il sistema.
di più sul progetto overRAMing
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Memorie - info
| Dimensione della memoria | 256GB |
|---|---|
| Tecnologia della memoria | DDR4 |
| Velocità della memoria | 3200MHz |
| Standard JEDEC | PC4-25600-R |
| Rank | 8Rx4 (2S4Rx4) |
| Tipo | RDIMM (ECC Registered) 3DS |
| Numero Pin | 288 Pin DIMM |
| Voltaggio | 1,2 volt |
| Caratteristiche speciali | 3DS |
Dispositivo - Specifiche
Informazioni per l'ordine
| Numero dell'articolo | SP453134 |
|---|---|
| Marchio | |
| EAN | 4067488165115 |
| Stato | Nuovo |
| Garanzia di memoria | 5 anni di garanzia |
| Compatibilità | 100% compatibile con Lenovo ThinkStation P620 (30E0) |
| Garanzia di rimborso | Sì, al 100% |
I tempi di consegna indicati sono validi per la spedizione all'interno della Germania. Potete trovare i tempi di consegna per la spedizione all'estero e ulteriori informazioni sui tempi di consegna qui.
Le foto del prodotto non riflettono necessariamente l'aspetto reale dei moduli di memoria. Ciò è dovuto a cambiamenti di layout dei moduli di memoria o ad altre circostanze al di fuori del nostro controllo.
Scheda tecnica "256GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkStation P620 (30E0) RAM RDIMM 3DS"
FAQ - Domande frequenti su Lenovo ThinkStation P620 (30E0)
Quanta memoria posso installare nel dispositivo - Lenovo ThinkStation P620 (30E0)?
ThinkStation P620 (30E0) può essere aggiornato fino a un massimo di 2TB / 1TB secondo le specifiche del produttore di RAM.
La RAM fornita da phs memory® per il mio Lenovo ThinkStation P620 (30E0) ha una frequenza superiore rispetto alla RAM esistente - È un problema?
La "Fallback Option" nell'SPD della memoria phs memory® garantisce che i moduli di memoria più recenti con una frequenza di clock più elevata possano essere utilizzati senza problemi anche con quelli più vecchi con una frequenza di clock inferiore. La frequenza di clock del modulo di memoria più lento determina il clock della memoria nel sistema. Il modulo di memoria più veloce viene automaticamente abbassato al clock del modulo più lento.
Perché le nostre informazioni sulla memoria massima differiscono da quelle del produttore per il dispositivo - Lenovo ThinkStation P620 (30E0)?
Il dispositivo Lenovo ThinkStation P620 (30E0) può essere aggiornato fino a un massimo di 2TB / 1TB secondo le specifiche del produttore . Se le nostre informazioni differiscono da quelle del produttore Lenovo , ciò potrebbe essere dovuto ai seguenti motivi:
- Nuovi processi di produzione consentono la realizzazione di moduli di memoria con capacità maggiori.
- L'attuale versione del BIOS supporta ora capacità di memoria maggiori.
- Le informazioni del produttore relative alla memoria massima possibile per il dispositivo Lenovo ThinkStation P620 (30E0) non sono aggiornate.
- Si tratta di un modulo overRAMing.
Ulteriori informazioni sul tema dell'overRAMing sono disponibili su: OverRAMing - massimizzare la RAM.
- L'attuale versione del BIOS supporta ora capacità di memoria maggiori.
- Le informazioni del produttore relative alla memoria massima possibile per il dispositivo Lenovo ThinkStation P620 (30E0) non sono aggiornate.
- Si tratta di un modulo overRAMing.
Ulteriori informazioni sul tema dell'overRAMing sono disponibili su: OverRAMing - massimizzare la RAM.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.
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