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32GB Memoria RAM DDR4 per Chatreey NAS Celeron N100 RAM SO DIMM

Memoria Chatreey NAS Celeron N100

32GB di memoria per Chatreey NAS Celeron N100. La memoria ha 260 Pin DIMM DIMM e funziona con una tensione di 1,2 volt. Acquistando l'estensione di memoria, potrete beneficiare della qualità delle RAM phs memory® e del supporto dei nostri specialisti.

 

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Memorie - info

Dimensione della memoria 32GB
Tecnologia della memoria DDR4
Velocità della memoria 3200MHz
Standard JEDEC PC4-25600S
Rank 2Rx8
Tipo SO DIMM
Numero Pin 260 Pin DIMM
Voltaggio 1,2 volt
Caratteristiche speciali -

Dispositivo - Specifiche

Produttore del dispositivo Chatreey
Tipo di apparecchio Storage/NAS
Famiglia del dispositivo Chatreey NAS
Serie del dispositivo NAS N1 serie
Nome del dispositivo NAS Celeron N100
Memoria ex works 8GB / 16GB
Memoria máxima 32GB
Slot di memoria 1

Informazioni per l'ordine

Numero dell'articolo SP553861
Marchio
EAN 4069169227631
Stato Nuovo
Garanzia di memoria 5 anni di garanzia
Compatibilità 100% compatibile con Chatreey NAS Celeron N100
Garanzia di rimborso Sì, al 100%
I tempi di consegna indicati sono validi per la spedizione all'interno della Germania. Potete trovare i tempi di consegna per la spedizione all'estero e ulteriori informazioni sui tempi di consegna qui.
Le foto dei prodotti non rispecchiano necessariamente l’aspetto reale del prodotto. Nel caso dei moduli di memoria, ciò può essere dovuto a modifiche del layout o ad altre circostanze al di fuori del nostro controllo.
Scheda tecnica "32GB Memoria RAM DDR4 per Chatreey NAS Celeron N100 RAM SO DIMM"

FAQ - Domande frequenti su Chatreey NAS Celeron N100

Con quale capacità di archiviazione è stato fornito il Chatreey NAS Celeron N100?
Il NAS Celeron N100 viene fornito con 8GB / 16GB di RAM.
Quanta memoria posso installare nell' Chatreey NAS Celeron N100?
NAS Celeron N100 può essere aggiornato fino a un massimo di 32GB di RAM.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.

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