8GB (2x4GB) RAM Kit Memoria RAM DDR3 per QNAP TS-251 RAM SO DIMM
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8GB (2x4GB) - DDR3 - 1600MHz - SO DIMM
Codice prodotto:
SP152472
Marca:
phs memory
Memoria QNAP TS-251
La memoria aumenta la RAM di QNAP TS-251 di 8GB (2x4GB). Il modulo di memoria ha 204 Pin DIMM e una tensione di 1,35 volt. Questa memoria è compatibile al 100% con l' QNAP TS-251.
Memorie - info
| Dimensione della memoria | 8GB (2x4GB) Set |
|---|---|
| Tecnologia della memoria | DDR3 |
| Velocità della memoria | 1600MHz |
| Standard JEDEC | PC3L-12800S |
| Tipo | SO DIMM |
| Numero Pin | 204 Pin DIMM |
| Voltaggio | 1,35 volt |
| Caratteristiche speciali | - |
Dispositivo - Specifiche
| Produttore del dispositivo | QNAP |
|---|---|
| Tipo di apparecchio | Storage/NAS |
| Famiglia del dispositivo | QNAP NAS TS |
| Serie del dispositivo | NAS TS TS-x51 serie |
| Nome del dispositivo | TS-251 |
| N. di riferimento del produttore | RAM-4GDR3L-SO-1600 |
| Memoria máxima | 16GB / 8GB secondo le specifiche del produttore |
| Slot di memoria | 2 |
| Nota | Attenzione: La memoria per Qnap può essere aggiornato con due memorie identici. Il kit di memoria consiste di due memorie identiche. |
Informazioni per l'ordine
| Numero dell'articolo | SP152472 |
|---|---|
| Marchio | |
| EAN | 4055069201635 |
| Stato | Nuovo |
| Garanzia di memoria | 5 anni di garanzia |
| Compatibilità | 100% compatibile con QNAP TS-251 |
| Garanzia di rimborso | Sì, al 100% |
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Le foto del prodotto non riflettono necessariamente l'aspetto reale dei moduli di memoria. Ciò è dovuto a cambiamenti di layout dei moduli di memoria o ad altre circostanze al di fuori del nostro controllo.
Scheda tecnica "8GB (2x4GB) RAM Kit Memoria RAM DDR3 per QNAP TS-251 RAM SO DIMM"
FAQ - Domande frequenti su QNAP TS-251
Quanta memoria posso installare nell' QNAP TS-251?
TS-251 può essere aggiornato fino a un massimo di 16GB / 8GB secondo le specifiche del produttore di RAM.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.
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