8GB Memoria RAM DDR3 per Buffalo TeraStation TS5210DN RAM SO DIMM ECC
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8GB - DDR3 - 1600MHz - SO DIMM ECC
Codice prodotto:
SP239966
Marca:
phs memory
Memoria Buffalo TeraStation TS5210DN
La memoria RAM estende la capacità di memoria del Buffalo TeraStation TS5210DN di 8GB. Le memorie offerte sono RAM DDR3. Ulteriori specifiche tecniche della memoria si trovano nell'elenco a destra. Niente esperimenti! Acquista la memoria corretta presso degli specialisti per eseguire l'aggiornamento del tuo storage/NAS in modo sicuro e con successo.Memorie - info
| Dimensione della memoria | 8GB |
|---|---|
| Tecnologia della memoria | DDR3 |
| Velocità della memoria | 1600MHz |
| Standard JEDEC | PC3L-12800P |
| Rank | 2Rx8 |
| Tipo | SO DIMM ECC |
| Numero Pin | 204 Pin DIMM |
| Voltaggio | 1,35 volt |
| Caratteristiche speciali | - |
Dispositivo - Specifiche
| Produttore del dispositivo | Buffalo |
|---|---|
| Tipo di apparecchio | Storage/NAS |
| Famiglia del dispositivo | Buffalo Business NAS |
| Serie del dispositivo | Business NAS Terastation 5000 serie |
| Nome del dispositivo | TeraStation TS5210DN |
| Memoria ex works | 4GB |
| Memoria máxima | 8GB |
| Slot di memoria | 1 |
Informazioni per l'ordine
| Numero dell'articolo | SP239966 |
|---|---|
| Marchio | |
| EAN | 4063369076594 |
| Stato | Nuovo |
| Garanzia di memoria | 5 anni di garanzia |
| Compatibilità | 100% compatibile con Buffalo TeraStation TS5210DN |
| Garanzia di rimborso | Sì, al 100% |
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Scheda tecnica "8GB Memoria RAM DDR3 per Buffalo TeraStation TS5210DN RAM SO DIMM ECC"
FAQ - Domande frequenti su Buffalo TeraStation TS5210DN
Con quale capacità di archiviazione è stato fornito il Buffalo TeraStation TS5210DN?
Il TeraStation TS5210DN viene fornito con 4GB di RAM.
Quanta memoria posso installare nell' Buffalo TeraStation TS5210DN?
TeraStation TS5210DN può essere aggiornato fino a un massimo di 8GB di RAM.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.
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