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8GB Memoria RAM DDR4 per Netgear ReadyNAS 3312G RAM UDIMM ECC

Memoria Netgear ReadyNAS 3312G

Ampliate la memoria del vostro Netgear ReadyNAS 3312G di 8GB. La memoria ha 288 Pin DIMM DIMM e funziona con una tensione di 1,2 volt. Acquistando l'estensione di memoria, potrete beneficiare della qualità delle RAM phs memory® e del supporto dei nostri specialisti.

 

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Memorie - info

Dimensione della memoria 8GB
Tecnologia della memoria DDR4
Velocità della memoria 2400MHz
Standard JEDEC PC4-19200E
Tipo UDIMM ECC (ECC unbuffered)
Numero Pin 288 Pin DIMM
Voltaggio 1,2 volt
Caratteristiche speciali -

Dispositivo - Specifiche

Produttore del dispositivo Netgear
Tipo di apparecchio Storage/NAS
Famiglia del dispositivo Netgear ReadyNAS
Serie del dispositivo ReadyNAS 331 serie
Nome del dispositivo ReadyNAS 3312G
Memoria ex works 8GB (1x8GB)
Memoria máxima 64GB
Slot di memoria 4

Informazioni per l'ordine

Numero dell'articolo SP528050
Marchio
EAN 4067488922572
Stato Nuovo
Garanzia di memoria 5 anni di garanzia
Compatibilità 100% compatibile con Netgear ReadyNAS 3312G
Garanzia di rimborso Sì, al 100%
I tempi di consegna indicati sono validi per la spedizione all'interno della Germania. Potete trovare i tempi di consegna per la spedizione all'estero e ulteriori informazioni sui tempi di consegna qui.
Le foto del prodotto non riflettono necessariamente l'aspetto reale dei moduli di memoria. Ciò è dovuto a cambiamenti di layout dei moduli di memoria o ad altre circostanze al di fuori del nostro controllo.
Scheda tecnica "8GB Memoria RAM DDR4 per Netgear ReadyNAS 3312G RAM UDIMM ECC"

FAQ - Domande frequenti su Netgear ReadyNAS 3312G

Con quale capacità di archiviazione è stato fornito il Netgear ReadyNAS 3312G?
Il ReadyNAS 3312G viene fornito con 8GB (1x8GB) di RAM.
Quanta memoria posso installare nell' Netgear ReadyNAS 3312G?
ReadyNAS 3312G può essere aggiornato fino a un massimo di 64GB di RAM.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.

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