16GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF) RAM SO DIMM
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Codice prodotto:
SP390387
Marca:
phs memory
Memoria per stazione di lavoro Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF)
16GB di memoria per Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF). Il modulo di memoria ha 260 Pin DIMM e una tensione di 1,2 volt. Questa memoria si adatta perfettamente al vostro Lenovo ThinkStation stazione di lavoro.
Memorie - info
| Dimensione della memoria | 16GB |
|---|---|
| Tecnologia della memoria | DDR4 |
| Velocità della memoria | 3200MHz |
| Standard JEDEC | PC4-25600S |
| Tipo | SO DIMM |
| Numero Pin | 260 Pin DIMM |
| Voltaggio | 1,2 volt |
| Caratteristiche speciali | - |
Dispositivo - Specifiche
| Produttore del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo di apparecchio | Stazione di lavoro |
| Famiglia del dispositivo | Lenovo ThinkStation |
| Serie del dispositivo | ThinkStation P350 serie |
| Nome del dispositivo | ThinkStation P350 Tiny (30EF) |
| N. di riferimento del produttore | 4X70Z90845, 4X70Z90847, 4X71D09534 |
| Memoria ex works | 32GB |
| Memoria máxima | 64GB |
| Slot di memoria | 2 |
| Nota | adatto ai seguenti modelli: 30EF0008BL, 30EF0008CK, 30EF0008CR, 30EF0008EE, 30EF0008EU, 30EF0008FR, 30EF0008GE, 30EF0008HX, 30EF0008IL, 30EF0008IX, 30EF0008MB, 30EF0008MD, 30EF0008MF, 30EF0008MG, 30EF0008MH, 30EF0008ML, 30EF0008MS, 30EF0008MZ, 30EF0008NX, 30EF0008PB, 30EF0008PG, 30EF0008RI, 30EF0008SP, 30EF0008TX, 30EF0008UK, 30EF0008ZY, 30EF0009BL, 30EF0009CK, 30EF0009CR, 30EF0009EE, 30EF0009EU, 30EF0009FR, 30EF0009GE, 30EF0009HX, 30EF0009IL, 30EF0009IX, 30EF0009MB, 30EF0009MD, 30EF0009MF, 30EF0009MG, 30EF0009MH, 30EF0009ML, 30EF0009MS, 30EF0009MZ, 30EF0009NX, 30EF0009PB, 30EF0009PG, 30EF0009RI, 30EF0009SP, 30EF0009TX, 30EF000CRI, 30EF000CSP, 30EF000CTX, 30EF000CUK, 30EF000CZY, 30EF000DBL, 30EF000DCK, 30EF000DCR, 30EF000DEE, 30EF000DEU, 30EF000DFR, 30EF000DGE, 30EF000DHX, 30EF000DIL, 30EF000DIX, 30EF000DMB, 30EF000DMD, 30EF000DMF, 30EF000DMG, 30EF000DMH, 30EF000DML, 30EF000DMS, 30EF000DMZ, 30EF000DNX, 30EF000DPB, 30EF000DPG, 30EF000DRI, 30EF000DSP, 30EF000DTX, 30EF000DUK, 30EF000DZY, 30EF000EBL, 30EF000ECK, 30EF000ECR, 30EF000EEE, 30EF000EEU, 30EF000EFR, 30EF000EGE, 30EF000EHX, 30EF000EIL, 30EF000EIX, 30EF000EMB, 30EF000EMD, 30EF000EMF, 30EF000EMG, 30EF000EMH, 30EF000EML, 30EF000EMS, 30EF000EMZ, 30EF000ENX, etc.
|
Informazioni per l'ordine
| Numero dell'articolo | SP390387 |
|---|---|
| Marchio | |
| EAN | 4064578534783 |
| Stato | Nuovo |
| Garanzia di memoria | 5 anni di garanzia |
| Compatibilità | 100% compatibile con Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF) |
| Garanzia di rimborso | Sì, al 100% |
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Le foto dei prodotti non rispecchiano necessariamente l’aspetto reale del prodotto. Nel caso dei moduli di memoria, ciò può essere dovuto a modifiche del layout o ad altre circostanze al di fuori del nostro controllo.
Scheda tecnica "16GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF) RAM SO DIMM"
FAQ - Domande frequenti su Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF)
Con quale capacità di archiviazione è stato fornito il Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF)?
Il ThinkStation P350 Tiny (30EF) viene fornito con 32GB di RAM.
Quanta memoria posso installare nel dispositivo - Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF)?
ThinkStation P350 Tiny (30EF) può essere aggiornato fino a un massimo di 64GB di RAM.
La RAM fornita da phs memory® per il mio Lenovo ThinkStation P350 Tiny (30EF) ha una frequenza superiore rispetto alla RAM esistente - È un problema?
La "Fallback Option" nell'SPD della memoria phs memory® garantisce che i moduli di memoria più recenti con una frequenza di clock più elevata possano essere utilizzati senza problemi anche con quelli più vecchi con una frequenza di clock inferiore. La frequenza di clock del modulo di memoria più lento determina il clock della memoria nel sistema. Il modulo di memoria più veloce viene automaticamente abbassato al clock del modulo più lento.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.
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