32GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL) RAM UDIMM
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Codice prodotto:
SP444207
Marca:
phs memory
Memoria Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL)
32GB di memoria per Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL). Il modulo di memoria ha 288 Pin DIMM e una tensione di 1,2 volt. Andate sul sicuro quando si tratta di aggiornare la memoria e acquistate la RAM compatibile al 100% presso degli specialisti di memorie.
Memorie - info
| Dimensione della memoria | 32GB |
|---|---|
| Tecnologia della memoria | DDR4 |
| Velocità della memoria | 3200MHz |
| Standard JEDEC | PC4-25600U |
| Rank | 2Rx8 |
| Tipo | UDIMM (Non-ECC unbuffered) |
| Numero Pin | 288 Pin DIMM |
| Voltaggio | 1,2 volt |
| Caratteristiche speciali | - |
Dispositivo - Specifiche
| Produttore del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo di apparecchio | Stazione di lavoro |
| Famiglia del dispositivo | Lenovo ThinkStation |
| Serie del dispositivo | ThinkStation P358 serie |
| Nome del dispositivo | ThinkStation P358 Tower (30GL) |
| Memoria ex works | 32GB |
| Memoria máxima | 128GB |
| Slot di memoria | 4 |
| Nota | adatto ai seguenti modelli: 30GL000ABL, 30GL000ACK, 30GL000ACR, 30GL000AEE, 30GL000AEU, 30GL000AFR, 30GL000AGE, 30GL000AHX, 30GL000AIL, 30GL000AIX, 30GL000AMB, 30GL000AMD, 30GL000AMF, 30GL000AMG, 30GL000AMH, 30GL000AML, 30GL000AMS, 30GL000AMT, 30GL000AMZ, 30GL000ANX, 30GL000APB, 30GL000APG, 30GL000ARI, 30GL000ASP, 30GL000ATX, 30GL000AUK, 30GL000AZY, 30GL000BBL, 30GL000BCK, 30GL000BCR, 30GL000BEE, 30GL000BEU, 30GL000BFR, 30GL000BGE, 30GL000BHX, 30GL000BIL, 30GL000BIX, 30GL000BMB, 30GL000BMD, 30GL000BMF, 30GL000BMG, 30GL000BMH, 30GL000BML, 30GL000BMS, 30GL000BMT, 30GL000BMZ, 30GL000BNX, 30GL000BPB, 30GL000BPG, 30GL000BRI, 30GL000EMT, 30GL000EMZ, 30GL000ENX, 30GL000EPB, 30GL000EPG, 30GL000ERI, 30GL000ESP, 30GL000ETX, 30GL000EUK, 30GL000EZY, 30GL000FBL, 30GL000FCK, 30GL000FCR, 30GL000FEE, 30GL000FEU, 30GL000FFR, 30GL000FGE, 30GL000FHX, 30GL000FIL, 30GL000FIX, 30GL000FMB, 30GL000FMD, 30GL000FMF, 30GL000FMG, 30GL000FMH, 30GL000FML, 30GL000FMS, 30GL000FMT, 30GL000FMZ, 30GL000FNX, 30GL000FPB, 30GL000FPG, 30GL000FRI, 30GL000FSP, 30GL000FTX, 30GL000FUK, 30GL000FZY, 30GL000GBL, 30GL000GCK, 30GL000GCR, 30GL000GEE, 30GL000GEU, 30GL000GFR, 30GL000GGE, 30GL000GHX, 30GL000GIL, 30GL000GIX, 30GL000GMB, 30GL000GMD, 30GL000GMF, etc.
|
Informazioni per l'ordine
| Numero dell'articolo | SP444207 |
|---|---|
| Marchio | |
| EAN | 4067488073625 |
| Stato | Nuovo |
| Garanzia di memoria | 5 anni di garanzia |
| Compatibilità | 100% compatibile con Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL) |
| Garanzia di rimborso | Sì, al 100% |
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Le foto dei prodotti non rispecchiano necessariamente l’aspetto reale del prodotto. Nel caso dei moduli di memoria, ciò può essere dovuto a modifiche del layout o ad altre circostanze al di fuori del nostro controllo.
Scheda tecnica "32GB Memoria RAM DDR4 per Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL) RAM UDIMM"
FAQ - Domande frequenti su Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL)
Con quale capacità di archiviazione è stato fornito il Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL)?
Il ThinkStation P358 Tower (30GL) viene fornito con 32GB di RAM.
Quanta memoria posso installare nel dispositivo - Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL)?
ThinkStation P358 Tower (30GL) può essere aggiornato fino a un massimo di 128GB di RAM.
La RAM fornita da phs memory® per il mio Lenovo ThinkStation P358 Tower (30GL) ha una frequenza superiore rispetto alla RAM esistente - È un problema?
La "Fallback Option" nell'SPD della memoria phs memory® garantisce che i moduli di memoria più recenti con una frequenza di clock più elevata possano essere utilizzati senza problemi anche con quelli più vecchi con una frequenza di clock inferiore. La frequenza di clock del modulo di memoria più lento determina il clock della memoria nel sistema. Il modulo di memoria più veloce viene automaticamente abbassato al clock del modulo più lento.
La garanzia del mio dispositivo viene annullata se installo da solo una nuova memoria RAM?
La garanzia legale del vostro sistema non è influenzata dall'installazione della memoria principale.
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